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半导体 CMP Slurry

CMP Slurry

基于优良的研发基础设施腾飞

2016年开始量产销售,目前产品群正在不断扩大。

基于优良的技术,坚持朝着CMP研磨液行业的全球顶级的目标迈进。​

使用案例

356-306_on.jpg CMP工艺

用途

半导体晶圆大范围平坦化
调节拓扑与表面粗糙度

主要产品

产品 特性
SW-300 半导体W布线工艺和调节表面粗糙度使用的低缺陷液
NTS-300 选择性研磨氮化硅膜质(~1,000 A/min),在多晶硅和二氧化硅膜质下可以停止
SWC-100 基于胶体氧化铈(Colloidal ceria)的新产品,低刮伤、低凹陷功能
SAC-100 采用新一代物质非晶碳膜质的新工艺具有高研磨率和低缺陷的性能
HTC-L-200 TSV工艺用产品,可以根据客户需求调节氧化硅、铜、氮化硅的研磨率

认证

ISO